HJT Tecnología 2.0Combinando el proceso de obtención y la tecnología uc-Si de un solo lado para garantizar una mayor eficiencia de la celda y una mayor potencia del módulo.-0.26%C Pmáx coeficiente de temperaturaRendimiento de generación de energía más estable e incluso mejor en climas cálidos.Diseño SMBB con tecnología Half-CutDistancia de transmisión de corriente más corta, menos pérdida resistiva y mayor eficiencia celular.Hasta 90% de bifacialidadEstructura bifacial simétrica natural que aporta más rendimiento energético desde la parte trasera.Sellado con sellador a base de PIBMayor resistencia al agua, mayor impermeabilidad al aire para extender la vida útil del módulo.

Tecnología HJT 2.0 Combinando el proceso de obtención y la tecnología uc-Si de un solo lado para garantizar una mayor eficiencia de la celda y una mayor potencia del módulo. -0,26%C Pmáx coeficiente de temperatura Rendimiento de generación de energía más estable e incluso mejor en climas cálidos. Diseño SMBB con tecnología Half-Cut Distancia de transmisión de corriente más corta, menos pérdida resistiva y mayor eficiencia celular. Hasta 90% de bifacialidad Estructura bifacial simétrica natural que aporta más rendimiento energético desde la parte trasera. Sellado con sellador a base de PIB Mayor resistencia al agua, mayor impermeabilidad al aire para extender la vida útil del módulo.