Tecnología HJT 2.0 Combinando el proceso de obtención y la tecnología uc-Si de un solo lado para garantizar una mayor eficiencia de la celda y una mayor potencia del módulo. -0,26%C Pmáx coeficiente de temperatura Rendimiento de generación de energía más estable e incluso mejor en climas cálidos. Diseño SMBB con tecnología Half-Cut Distancia de transmisión de corriente más corta, menos pérdida resistiva y mayor eficiencia celular. Hasta 90% de bifacialidad Estructura bifacial simétrica natural que aporta más rendimiento energético desde la parte trasera. Sellado con sellador a base de PIB Mayor resistencia al agua, mayor impermeabilidad al aire para extender la vida útil del módulo.

Tolerancia al poder positivo (0-+5W) garantizado Alta eficiencia de conversión de módulos (hasta 22,82%) Degradación de energía más lenta habilitado por la tecnología Low LID: primer año <1%, 0,40% año 2-30 Resistencia sólida al PlD mediante la optimización del proceso de células solares y una cuidadosa selección de la lista de materiales del módulo Pérdida resistiva reducida con menor corriente de funcionamiento Mayor rendimiento energético con temperatura de funcionamiento más baja Reducción del riesgo de puntos calientes con diseño eléctrico optimizado y menor corriente de funcionamiento